陈凯师资讯｜数据易丢失？写入速度慢？第三类存储技术来了！-链科技

陈凯师
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半导体电荷存储技术，这个概念对许多人而言可能有些过于专业化，但如果链科技小编说电脑内存和U盘，那么大家一定都明白了。其实，目前的半导体电荷存储技术主要有两大类，第一类是“易失性存储”，比如计算机内存，虽然数据的写入速度很快，仅需几纳秒左右，但是一旦突然断电，未及时保存的数据就会丢失，很多人应该都遭遇过这样的无奈；另一类是“非易失性存储”，比如U盘，虽然无需额外能量便可将数据保存10年左右，但是写入速度相比计算机内存要慢，大概需要几微秒到几十微秒。

有没有数据即不易丢失、写入速度又快的存储技术呢？有！
日前，上海复旦大学微电子学院一研究团队开发出了具有颠覆性的二维半导体准非易失性存储原型器件，成功开创了第三类存储技术，不仅可以实现纳秒级的写入速度，同时还可以按照需要定制10秒至10年以内的数据存储周期。此外，这种全新特性可以极大的降低存储功耗，并且能够实现在数据到期后的自然消失，解决了在某些场合下传输与保密性之间的矛盾。相关成果日前发表在国际顶级期刊《自然·纳米技术》杂志上。

据悉，为了研发出数据不易丢失且读写速度快的新型电荷存储技术，该研究团队创新性的选择了多重二维半导体材料，堆叠构成了半浮栅结构晶体管：二氧化钼和二硒化钨构成了一道随手可关的“门”，将电子关在门内，易进难出，用于控制电荷的输送；氮化硼作为绝缘层，好比一面密不透风的“墙”，使电子难以进出；而二硫化铪则作为存储层，用以保存数据。据研究人员表示，只要利用技术调节好“门”和“墙”的比例，便可以实现对“非易失性”和“写入速度”的同时调控，达到二者兼顾的目的。

链科技小编了解到，复旦大学开创的第三类存储技术，不仅克服了前两类存储技术各自存在的不足，同时进一步证明了二维材料可获得单层的具有完美界面特性的原子级别晶体，这对研究提高集成电路器件的优良特性具有重要意义，也为降低存储器功耗和提高集成度开辟了一条全新途径，在一定程度上为新型计算机的开发制造奠定了基础。不过，目前第三类存储技术还处在实验室阶段，至于面向市场大规模生产则还需要一定的时间，而这全新的存储技术一旦正式应用到市场又将会给我们的生活带来怎样的变化，还是让我们拭目以待吧！



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